Infineon baut nach eigenen Angaben die weltweit erste Serienfertigung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern. In Villach in Österreich wird dafür ein bestehender Reinraum umgerüstet, der Produktionsstart ist für Ende 2027 geplant.
Die Investition liegt bei rund 1,1 Milliarden Euro. Bis zu 319 Millionen davon sollen aus EU-Mitteln im Rahmen des European Chips Act kommen, die formale Zuteilung durch das österreichische Wirtschaftsministerium steht noch aus. Bundeskanzler Christian Stocker nannte das Projekt eine der größten Einzelinvestitionen in der Geschichte der österreichischen Hightech-Industrie. Wirtschaftsminister Wolfgang Hattmannsdorfer verwies darauf, dass Europa nur rund zehn Prozent der weltweiten Chipproduktion stellt, Österreich bei den Ausgaben für betriebliche Halbleiterforschung pro Kopf aber EU-weit vorn liegt.
Warum 300 Millimeter zählen: Der Wafer ist das Substrat, und ein größerer Wafer liefert mehr Chips pro Durchlauf. Silizium wird seit zwei Jahrzehnten auf 300 Millimetern gefertigt, Siliziumkarbid wandert gerade dorthin, Galliumnitrid entstand bisher überwiegend auf 200 Millimetern und kleiner. Infineon sagt, der technische Durchbruch bei 300-Millimeter-GaN sei vor gut zwei Jahren gelungen; die Linie vervollständigt nun ein Portfolio aus Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid.
Die Physik dahinter: GaN ist ein Wide-Bandgap-Halbleiter und schaltet hohe Ströme mit hohen Frequenzen und geringen Verlusten, bei Sperrspannungen bis 1.700 Volt. Daraus folgen kleinere und leichtere Solarwechselrichter, Ladegeräte, Motorsteuerungen und Stromversorgungen – einschließlich der Racks, die KI-Beschleuniger versorgen. Infineon argumentiert, GaN schalte noch schneller als Siliziumkarbid und koste beim Unternehmen nicht mehr.
Villach ist bereits das globale Kompetenzzentrum für Leistungselektronik und neue Halbleitermaterialien: rund 5.800 Beschäftigte in Österreich, 2.500 davon in der Forschung, 4.800 am Standort. Infineon beziffert Europas Anteil am Markt für Leistungselektronik auf etwa 40 Prozent – das ist der strategische Subtext. Die EU versucht hier nicht, das Rennen um modernste Logikchips zu gewinnen, sondern den Teil des Stacks zu halten, in dem sie schon stark ist.
Eine Zahl bleibt abzuwarten: das Volumen. Eine 300-Millimeter-Linie rechnet sich nur, wenn GaN-Nachfrage in Automotive- und Netzgröße ankommt und nicht in Premium-Ladegeräten stecken bleibt. Infineons Antwort: KI-Stromversorgung, Elektrifizierung und Robotik brauchen alle dasselbe – mehr Strom, effizienter geschaltet, auf weniger Raum.
